CVD系统产品的特点：
1 CVD系统兼容、常压、微正压多种主流的生长模式
2 CVD系统可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长
3 CVD系统使用计算机控制，可以设置多种生长参数
4 CVD系统可以制备高质量，大面积石墨烯等碳材料，尺寸可达数厘米，研究动力学过程
5 CVD系统沉积效率高；薄膜的成分准确可控，配比范围大；厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜沉积且能大量生产
CVD技术特点：
具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点
CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等